三星HBM4E首发GTC 2026，LPDDR6、PCIe 6.0 SSD齐登场

3月17日，三星电子在当日举行的NVIDIA GTC 2026大会上，全面展示了其在AI计算领域的完整技术布局，彰显全球半导体龙头的硬实力。

作为全球唯一一家能够提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的完整解决方案的半导体厂商，三星此次集中展出了从高性能内存到个人设备低功耗解决方案的全系产品，覆盖多场景需求。

在个人设备领域，三星展示了针对本地工作负载优化的内存解决方案，包括为NVIDIA DGX Spark配备的三星PM9E3和PM9E1 NAND产品，进一步完善个人设备存储体验。

同时，三星也展出了面向高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备的LPDDR5X和LPDDR6 DRAM解决方案。其中，LPDDR5X每引脚速度最高可达25 Gbps，同时功耗降低15%；在此基础上，LPDDR6将带宽进一步提升至每引脚30-35 Gbps，并引入自适应电压调节和动态刷新控制等高级电源管理功能，为下一代端侧工作负载提供强劲性能支撑，契合移动设备高性能、低功耗的核心需求。

本次展会的核心亮点，当属三星第六代HBM4内存。该产品已正式进入量产阶段，专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，能够提供11.7 Gbps的稳定处理速度，远超业界标准的8 Gbps，且可进一步提升至13 Gbps。依托最先进的第六代10nm级DRAM工艺，三星实现了稳定的良率和行业领先的性能表现，为AI计算提供高效支撑。

更值得关注的是，三星在本次大会上首次展示了下一代HBM4E内存，该产品每引脚传输速度可达16 Gbps，带宽高达4.0 TB/s，将成为下一代AI加速器和超大规模数据中心的核心支撑。此外，三星还展出了混合铜键合（HCB）技术，这项新技术可使下一代HBM实现16层及以上堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻，进一步突破性能瓶颈。

为凸显与NVIDIA的深度合作，三星在展台上特设“NVIDIA画廊”，集中展示双方合作成果，陈列着为英伟达AI产品量身打造的前沿技术产品，包括HBM4、SOCAMM2以及PM1763 SSD。

其中，三星SOCAMM2基于低功耗DRAM设计，是针对下一代AI基础设施优化的服务器内存模块，兼具高带宽和灵活的系统集成能力，三星已实现该产品量产，成为业内首家达成这一里程碑的企业，可高效适配数据中心大规模处理需求。

面向下一代存储解决方案的三星PM1763 SSD，采用最新的PCIe 6.0接口，可提供高速数据传输和大容量存储，即便在25W功率限制下，也能实现2倍性能和1.6倍能效提升，还率先完成SI信号完整性裕度分析，解决高速传输带来的信号干扰问题，将在基于NVIDIA SCADA编程模型的服务器上进行现场演示。此外，作为NVIDIA Vera Rubin平台加速存储基础设施参考架构的一部分，三星PM1753 SSD也同步亮相，展示其在推理工作负载中提升能效和系统性能的能力。

此次大会上，三星还展示了与NVIDIA在AI工厂开发方面的合作成果。双方计划引入NVIDIA加速计算技术，扩展三星AI工厂规模，并加速基于NVIDIA Omniverse库的制造数字孪生落地，覆盖内存、逻辑、晶圆代工和先进封装各核心环节。

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